高纯氧化铍陶瓷片

氧化铍的熔化温度范围为2530℃~2570℃，其理论密度为3.02g/BeO作为绝缘材料始于1928年，不过直到1930年为止，BeO主要是混以其他材料作为㎝3，在真空中可在1800℃下长期使用，在惰性气体中可在2000℃下使用，在氧化气氛中1800℃才挥发。氧化铍陶瓷的最突出性能是导热系数大，与金属铝相近，是氧化铝6~10倍，是一种具有独特的电的、热的和机械性能的介质材料，没有其他任何材料显示出这样全面的综合性能。氧化铍与其他绝缘材料性能对比列于表1。
氧化铍陶瓷因其具有高导热系数、高熔度、强度、高绝缘、低电介常数、低介质损耗以及良好的封装工艺适应性等特点，在微波技术、电真空技术、核技术、微电子与光电子技术领域受到重视和应用，尤其是在大功率半导体器件、大功率集成电路、大功率微波真空器件及核反应堆中。